株式会社FLOSFIA
会社概要（2021年10月現在）
- 2011年3月31日設立 京都大学発ベンチャー企業
- 資本金は準備金を含めて42億円
主要株主：三菱重工業、安川電機、DENSO、ブラザー工業 等 - 事業内容
①次世代半導体「酸化ガリウム」を用いたGaO®デバイスの開発・製造
②成膜合成技術プラットフォームであるミストドライ®法による新たな電子産業材料の開発・製造 - 世界各国に600件を超える特許を出願済み
- ISO9001:2015、ISO14001:2015認証取得済み
- セミファブレスモデルにより事業の垂直立ち上げが可能
GaO®パワーデバイスとは
酸化ガリウムは、優れた材料物性ゆえ近年注目され始めた最先端の半導体材料です。
FLOSFIAは、酸化ガリウムのなかでも、天然に存在しない特殊な結晶構造「コランダム構造」を人工的に合成し、パワーデバイスに応用する技術開発に取り組んできました。
このコランダム構造の酸化ガリウムは、低損失化の材料ポテンシャルを示す「バリガ性能指数」において、従来材料のシリコンに対して約7,000倍、シリコンカーバイドに対して約20倍となる圧倒的な物性値を示しており（FLOSFIA推定）、電気自動車や産業機器、民生用小型電源などさまざまな機器に搭載することで電力変換損失を劇的に低減する効果が期待されます。
GaO®パワーデバイス製品特長
● 世界初、コランダム型酸化ガリウム GaO®パワーデバイス
● First Product
SBD：Schottky Barrier Diodes
Vrm = 600V / If = 10A
Package：TO-220
他の材料を凌駕する材料物性
| 材料 | Si | 4H-SiC | GaN |
GaO® （α-Ga2O3） |
|---|---|---|---|---|
|
バンドギャップ Eg (eV) |
1.1 | 3.3 | 3.4 | 5.3 |
| バリガ性能指数 | 1 | 340 | 870 |
6,726 (estimate) |
評価用ボード絶賛発売中
● Future Product
2018年にノーマリーオフ型MOSFETの概念実証に成功済み
成果
■ ノーマリーオフ化に成功！
■ 移動度はSiCを凌駕
■ 国プロにて推進中
SDGsへの貢献
GaO®は株式会社FLOSFIAの登録商標です。
品川シーサイドキャナルタワー
